在非易失性存储领域，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）近期联合推出了最新的332层NAND闪存技术，这项突破性的成果不仅提升了存储容量和速度，还为未来数据中心的能效管理提供了新思路。

在当前电子信息产业快速发展的背景下，半导体技术的创新显得尤为重要。现代电子设备对小型化、低功耗、高性能的需求日益增强，而铠侠此次申请的专利恰好符合这一趋势。在此设计中，电荷储存层的设置与半导体层的相互配合，极有可能大幅提高存储效率和能耗管理。这样的创 ...

近日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）合作，在国际固态电路会议（ISSCC 2025）上发布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。这一新一代的3D ...

铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）合作，在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单 ...

【热点速读】1、SK海力士CEO郭鲁正：DeepSeek为半导体带来更大机遇，预计NAND市场年底将复苏2、堆叠层数史上最高！Kioxia和Sandisk推出新一代 3D 闪存技术3、美光发布4600系列PCIe Gen5 ...

铠侠和闪迪联合预览了更快的 218 层 3D NAND 技术，具有更高的接口速度和更好的能效。他们还透露了即将推出的 332 层技术。这些进展将大幅提升存储性能和容量，以满足人工智能等新兴应用对数据存储的巨大需求。新技术采用创新的 NAND ...

铠侠此次开发的是被称为第10代的技术。与目前第8代的218层产品相比，输入数据时的电力效率提高10%，输出时提高34%。单位面积的存储容量提高59%。今后将在日本国内生产，具体时间尚未确定。竞争对手也在开发300层左右的下一代产品。

IT之家 2 月 20 日消息，铠侠（Kioxia）携手闪迪（SanDisk），在 2025 年  IEEE ISSCC 学术会议上，针对 AI 应用场景，推出全新 3D 闪存解决方案，将 NAND 接口速度提升至惊人的 4.8 Gbps。 该 3D ...

铠侠和闪迪还展望第九代和第十代 3D 闪存产品，第九代产品利用 CBA 技术融合现有存储单元技术和新 CMOS 技术，实现高性价比。第十代产品将进一步提升容量、速度和功耗表现，满足未来数据中心和 AI 应用需求。