Abstract: The component-level ESD robustness of 1200-V D-Mode (depletion-mode) GaN (gallium nitride) MIS-HEMTs (metal insulator semiconductor-high electron mobility transistor) was investigated in ...
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果
反馈